[发明专利]相变存储器单元及形成的方法有效
| 申请号： | 200680034986.8 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101268564A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂·A·坎贝尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器元件及形成所述元件的方法。所述存储器元件包括第一电极(12)及所述第一电极上方的包含相变材料层(18)的硫族化物。金属硫族化物层(20)位于所述相变材料层上方。所述金属硫族化物层为碲化锡。第二电极(24)位于所述金属硫族化物层上方。所述存储器元件经配置以具有降低的电流要求。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，其包含：第一电极；硫族化物，其位于所述第一电极上方且包含相变材料层；金属硫族化物层，其位于所述相变材料层上方，所述金属硫族化物层包含碲化锡；第二电极，其位于所述金属硫族化物层上方。
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