[发明专利]改善光刻胶粘附性和重新使用一致性的氢处理方法

摘要

本发明提供了用于从衬底选择性地去除光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物而不改变下方衬底层的表面化学和粘附性能的方法。通常，该方法包括在沉积光刻胶层之前用氢预处理衬底(例如，通过基于氢的等离子体)，然后在刻蚀、刻蚀后处理、重新使用等过程中利用基于氢的等离子体对衬底进行灰化，以从衬底选择性地去除光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物。本发明的基于氢的灰化工艺可以在刻蚀后使用，以去除残余光刻胶，或者可以在重新使用剥离工艺中使用，以去除错位的图案。在初始氢表面预处理之后的基于氢的灰化工艺明显减小了表面化学中毒，同时在灰化之后保持了足够的粘附性能。

主权项

1.一种用于从半导体衬底选择性去除光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物的等离子体灰化方法，所述方法包括：将衬底置于等离子体反应器中，所述衬底包括沉积在电介质层或氧化物层上的光刻胶层和/或有机层，其中所述电介质层或氧化物层在沉积所述光刻胶层和/或有机上覆层之前用基于氢的等离子体的进行处理；将氢源气体提供到所述等离子体反应器，并且在能量源的存在下使得所述氢源气体反应以生成基于氢的等离子体；以及将所述衬底在等离子体灰化条件下暴露于所述基于氢的等离子体，所述等离子体灰化条件足以选择性地去除所述光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物，从而留下处于还原状态的下方电介质层或氧化物层。