[发明专利]基板处理方法和记录介质

摘要

本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。

主权项

1.一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有所述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向所述处理容器供给成膜气体，在所述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在所述成膜工序之后，向所述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行所述处理容器内的清洁的清洁工序；和在所述清洁工序之后，在所述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在所述清洁工序中，包括控制所述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的所述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在所述涂敷工序中，包括相比所述成膜工序的对所述被处理基板进行成膜的情况，使所述保持台的温度降低并进行所述涂敷成膜的低温成膜工序。