[发明专利]Ⅲ－Ⅴ发光器件有效
| 申请号： | 200680035651.8 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101273469A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;J·E·埃普勒 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III－氮化物发光层。所述III－氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：n型区；p型区；以及布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层，其中所述III-氮化物发光层具有大于3.19![]()
的晶格常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，未经飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680035651.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
