[发明专利]SiOx:Si溅射靶材及其制造及使用方法无效
| 申请号： | 200680036077.8 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101278069A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 戴维·E·史蒂文森;利·Q·周 | 申请（专利权）人： | 温特克光电公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/34;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在保护性环境中融结二氧化硅和导电的掺杂硅从而生成复合的SiO2:Si材料，其具有SiO2的特性，而又由于Si的存在而导电。这样的复合材料用作DC和/或AC溅射工艺中的靶材以生产用于触摸屏等应用中的导电二氧化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | sio sub si 溅射 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种导电溅射靶材，包括：二氧化硅微粒与导电掺杂硅微粒的结合，其融合为至少90％完全理论密度的烧结的压实物，并且具有大约200Ω.cm或更小的电阻率。
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