[发明专利]光电子半导体芯片无效
| 申请号： | 200680036141.2 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101278413A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | A·普洛斯尔;R·沃思 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电子半导体芯片，该光电子半导体芯片在工作时从其正面(7)发射电磁辐射，具有：带有适用于产生电磁辐射的活性区域(4)的半导体层序列(1)；和布置在所述半导体层序列上的、单独制造的TCO支撑衬底(10)，该TCO支撑衬底具有由透明导电氧化物(TCO)组构成的材料且以机械方式支撑所述半导体层序列(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.光电子半导体芯片，该光电子半导体芯片在工作时从其正面(7)发射电磁辐射，具有：-带有适用于产生电磁辐射的活性区域(4)的半导体层序列(1)；和-布置在所述半导体层序列上的单独制造的TCO支撑衬底(10)，该TCO支撑衬底具有由透明导电氧化物(TCO)组构成的材料且以机械方式支撑所述半导体层序列(1)。
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