[发明专利]磁隧道结温度传感器和方法无效
| 申请号： | 200680036312.1 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101589452A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 郑永植;罗伯特·W·贝尔德;马克·A·迪尔拉姆 | 申请（专利权）人： | 爱沃斯宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了感测在集成电路(600)的基板中布置的热源的温度的技术。根据一个示范性方法，在热源(604)之上提供磁隧道结(“MTJ”)温度传感器(608)。MTJ温度传感器包括MTJ核心，其配置成在其操作期间输出电流。该电流的值基于特殊MTJ核心的电阻值而变化。MTJ核心的电阻值作为热源的温度的函数而变化。MTJ核心的电流的值于是能够与热源的相应温度相关联。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 温度传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产集成电路的方法，该方法包括：提供基板，其具有布置在所述基板中的热源；提供导电数字线；在所述热源和所述导电数字线之上提供磁隧道结(“MTJ”)温度传感器，其中所述MTJ温度传感器包括MTJ核心；以及在所述MTJ温度传感器之上提供导电位线，使得所述MTJ温度传感器布置在所述导电数字线和所述导电位线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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