[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680036407.3 | 申请日： | 2006-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101278403A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 本田达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻，提高半导体膜和电极或连线的覆盖率，得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件，包括：衬底上方的栅电极，栅电极上方的栅绝缘膜，栅绝缘膜上方的第一源或漏电极，第一源或漏电极上方的岛状半导体膜，第一源或漏电极和岛状半导体膜上方的第二源或漏电极。此外，第二源或漏电极与第一源或漏电极接触，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。此外，本发明涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：衬底上方的栅电极；栅电极上方的栅绝缘膜；栅绝缘膜上方的第一源或漏电极；第一源或漏电极上方的岛状半导体膜；和岛状半导体膜和第一源或漏电极上方的第二源或漏电极，其中，第二源或漏电极与第一源或漏电极相接触，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。
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