[发明专利]垂直形貌修整无效
| 申请号： | 200680036913.2 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101278381A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 形貌 修整 | ||
【主权项】：
1.一种用于在蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：在所述蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，所述光刻胶特征具有侧壁，其中所述光刻胶特征的所述侧壁具有沿所述光刻胶特征的深度的不规则形貌；修正沿所述光刻胶特征的所述侧壁的所述光刻胶特征的深度的所述不规则形貌，所述修正包括至少一个循环，其中每个循环包括：侧壁沉积阶段；以及形貌成形阶段；穿过所述光刻胶特征将特征蚀刻入所述蚀刻层；以及去除所述掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
