[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 200680036926.X | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101278071A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 小田国博;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种钽或钽合金靶，其可以缩短预烧时间，并且在整个靶寿命期间使成膜速度的变动最小化，从而提高溅射工艺中的半导体的生产效率并使其稳定，同时可以有助于减少生产成本。一种钽或钽基合金溅射靶，其中，靶最外表面通过X射线衍射测定的{200}结晶面的半高宽为0.1～0.6。权利要求1或2所述的溅射靶，其中，半高宽的变动在±0.05以内。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种钽或钽基合金溅射靶，其特征在于，靶最外表面通过X射线衍射测定的{200}结晶面的半高宽为0.1～0.6。
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