[发明专利]用于硅结晶的坩埚及其制造方法有效
| 申请号： | 200680036942.9 | 申请日： | 2006-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101278078A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | G·兰库勒 | 申请（专利权）人： | 维苏威克鲁斯布公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C04B35/584 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于硅结晶的坩埚，并涉及熔融材料处理中使用的坩埚的脱离涂层的制备和应用，所述熔融材料在坩埚中凝固并且然后以晶锭形式被移出，且更尤其涉及多晶硅凝固中使用的坩埚的脱离涂层。本发明人的目的是提供包含氮化硅涂层的坩埚，所述涂层可较快且较廉价地制备，并且较牢固，对壁具有改善的附着力。发现使用这样的用于硅结晶的坩埚可解决这些问题，所述坩埚包含：a)包含限定出内部容积的底表面和侧壁的基本体；b)保护涂层，该保护涂层包含80－95重量％氮化硅和5－20重量％低温无机粘结剂，总氧含量为5－15重量％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结晶 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于硅结晶的坩埚(1)，其包括a)包含限定出内部容积的底表面(21)和侧壁(22)的基本体(2)；b)朝向内部容积的氮化硅基保护涂层(3)；其特征在于，所述保护涂层(3)包含80-95重量％氮化硅、5-20重量％低温无机粘结剂，总氧含量为5-15重量％。
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