[发明专利]掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置

摘要

本发明揭示一种掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置。所改善者包含CVD反应室的机械设计(其可以提供低温制程均匀的热分布和制程化学品的均匀分布)，以及在一基材上沉积至少一层含有硅和氮的沉积层的方法，其中该方法是藉由加热一基材、通入一含硅前驱物至一制程反应室(其具有由一接合环和一或多个阻断板及一排气系统界定的混合区)中、加热该接合环及一部分的排气系统、通入一或多种的氢、锗、硼、或含碳前驱物至该制程反应室内、以及选择性地通入一含氮前驱物至该制程反应室内。

主权项

1.一种在基材上沉积含有硅和氮的沉积层的方法，其至少包含：气化含硅化合物；将该含硅化合物通入制程反应室的混合区中，其中该混合区是由加热的接合环及至少一阻断板界定；通过配气盘将该含硅化合物通入制程区，其中该制程区是由加热的侧壁、基材支撑、以及该配气盘界定；以及通过加热的排气系统排出剩余气体。