[发明专利]用于等离子制程的低压电感性耦合源无效
| 申请号： | 200680037092.4 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101283112A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | J·M·怀特;C·索伦森 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是一种用于等离子处理基材的制程室。制程室包括一或多个定义出等离子处理区域的室壁、及设置成传送RF能量到等离子处理区域的RF传送装置。RF传送装置包括并联设置的第一线圈部与第二线圈部。第一线圈部与第二线圈部各为一半匝线圈，而第一线圈部的输入端电压与第二线圈部的输入端电压约为相同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 压电 感性 耦合 | ||
【主权项】：
1. 一种用于等离子处理基材的制程室，其至少包含：一或多个室壁，定义出等离子处理区域；以及RF(射频)传送装置，用以传送RF能量到该等离子处理区域，其中该RF传送装置包含二或多个并联的线圈部。
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