[发明专利]利用定向硅衬底的深开槽产生新结构无效
| 申请号： | 200680037395.6 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101283207A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | Y·－F·A·王;R·A·达维斯;L·A·雷恩 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | F16J15/38 | 分类号： | F16J15/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氢氧化钾(KOH)蚀刻工艺，能在(110)定向硅衬底上产生深度大的深宽比的沟槽。然而，所述沟槽垂直于硅衬底的晶体点阵的(111)方向。所述沟槽用于产生热隔离区域和通过晶片的电连接。这些结构可用节省成本的方法产生，这是因为KOH蚀刻工艺在被应用于处于适当定向的适当材料时的近乎理想的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 定向 衬底 开槽 产生 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：选择具有(110)定向的硅衬底；使用KOH蚀刻工艺在硅衬底上产生沟槽阵列，所述沟槽阵列包括至少两个沟槽，其中，所述沟槽垂直于(111)方向，所述沟槽为5微米宽或更小，并通过5微米宽或更小的肋部与其他沟槽分开；氧化所述肋部；和用热绝缘材料填充所述沟槽阵列，从而产生宽的热绝缘区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680037395.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种消像移成像的实时自适应处理方法
- 下一篇：焊料合金及使用其的玻璃接合体
