[发明专利]电子制造中的锡银焊接凸点有效
| 申请号： | 200680037853.6 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101622701A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 汤姆斯·B·理查德森;玛里斯·克莱恩菲德;克里斯蒂娜·里特曼;伊格·扎瓦里那;奥特鲁德·斯代第尼斯;张云;约瑟夫·A·阿比斯 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | H01L21/445 | 分类号： | H01L21/445 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在制造微电子仪器的凸点下金属结构上形成焊接凸点的方法包括使凸点下金属结构暴露于电解槽，其中该电解槽包括一种Sn2+离子源，一种Ag+离子源，一种硫脲化合物和/或一种季铵盐表面活性剂；并且为电解槽提供一种外部电子源从而将锡银合金沉积在凸点下金属结构上面。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 制造 中的 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种用于电镀锡银焊接凸点的电镀成分包括：一种Sn2+离子源；一种Ag+离子源；一种N-烯丙基-硫脲化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
