[发明专利]自适应固态图像传感器无效
申请号: | 200680038371.2 | 申请日: | 2006-08-14 |
公开(公告)号: | CN101288170A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | B·D·阿克兰;C·A·金;C·S·拉弗蒂 | 申请(专利权)人: | 诺博乐峰图像公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 改进的单片集成电路固态成像器,包括:各自不同种类像素的多个亚阵列、包括颜色滤波器和透明元件的可选择的滤波镶嵌块,以及处理像素输出的电路。不同种类的像素各自对应不同的光谱范围。有利地,可以从以下选择不同种类的像素:1)响应大约800-1800nm范围内的短波长红外(SWIR)的SWIR像素;2)响应可见光和NIR辐射(400-1000nm)的规则像素以及响应可见光、NIR和SWIR辐射宽带像素。 | ||
搜索关键词: | 自适应 固态 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种有源像素图像传感器,包括用于响应入射辐射产生电信号的有源像素的阵列和用于扫描并将像素输出处理成对应于图像的信号的读出电路,其中:每个有源像素包括光电探测器和用于放大光电探测器的输出的电路;像素的阵列包括第一多个像素和第二多个像素,第一多个像素的光电探测器对第一光谱范围作出响应,第二多个像素的光电探测器对不同于第一光谱范围的第二光谱范围作出相响应。第一多个像素和第二多个像素的每一个包括被单片地集成到相同的单晶半导体基片的光电探测器;以及阵列的像素被在空间上排列和连接以形成多个亚阵列,多个亚阵列被布置和排列以捕捉基本上相同的图像的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的