[发明专利]中红外共振腔发光二极管有效
| 申请号： | 200680038382.0 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101288184A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 奥德里·纳尔逊 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种共振腔发光二极管(RCLED)装置，具有在其内设置有一个或者多个量子阱的第一有源区域、连接到第一有源区域的第一腔和第二腔，以及分别连接到第一和第二腔的第一反射器和第二反射器。该RCLED可以最优化成在二氧化碳吸收带中发射辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 共振 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔发光二极管(RCLED)装置，该装置包括：第一有源区域，呈平面形状并带有顶侧和底侧，以及具有设置在该第一有源区域内的一个或者多个量子阱，其中该一个或者多个量子阱构造成提供能量以激发该RCLED的辐射输出，并且位于该RCLED的共振波的反节点位置附近；第一腔，相邻于该第一有源区域的该顶侧，其中该第一腔具有一厚度使得该第一腔从该第一有源区域的中间延伸第一距离；和第二腔，相邻于该第一有源区域的该底侧；其中该第一有源区域、该第一腔和该第二腔构造成使得该RCLED产生具有在红外区域中的中心波长的电磁辐射，并且其中该第一有源区域、该第一腔和该第二腔的总厚度约为或者小于2λ。
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