[发明专利]具有氮化栅极氧化物的CMOS成像器和制造方法

摘要

本发明提供一种具有减少的暗电流的CMOS成像器和形成所述CMOS成像器的方法。在CMOS成像器的光传感器区上方提供厚度约为典型氮化栅极氧化物的厚度的两倍的氮化栅极氧化层。所述栅极氧化层提供改进的污染物障壁以保护光传感器，在所述光传感器的p+钉扎区的表面中包含p+植入物分布，并减少所述光传感器表面处的光子反射，借此减少暗电流。

主权项

1.一种像素单元，其包含：光传感器，其在衬底的第一区中；以及氮化栅极氧化层，其在所述衬底上方，所述氮化栅极氧化层具有位于所述第一区上方的第一厚度和位于所述衬底的第二区上方的第二厚度，其中所述第一厚度约为所述第二厚度的两倍。