[发明专利]用于具有多部分自由层的磁性隧道结的调整固定层有效
| 申请号： | 200680038631.6 | 申请日： | 2006-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101548330A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 戴维·W·亚伯拉罕;丹尼尔·C·沃利奇 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了优化具有多部分自由层的磁性隧道结(MTJ)的触发窗口的装置和方法。根据本发明的一个方面，一种MTJ包括：自由层；固定层；以及形成在该自由层和该固定层之间的阻挡层。该自由层又包括多个自由磁性子层，而该固定层包括多个固定磁性子层。每个固定磁性子层对自由磁性子层施加磁场。为了优化该器件的触发窗口，每个固定磁性子层的尺寸选择为基本使得作用在每个自由磁性子层上的平均磁场相等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 部分 自由 磁性 隧道 调整 固定 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：自由层，该自由层包括多个自由磁性子层；固定层，该固定层包括多个固定磁性子层，每个固定磁性子层对于所述自由磁性子层施加磁场；以及阻挡层，形成在该自由层和该固定层之间；其中每个固定磁性子层的尺寸选择为基本使得施加在每个自由磁性子层上的平均磁场相等。
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