[发明专利]掺杂剂区重叠中的对齐标记

摘要

在集成电路工艺中，通过对ONO堆栈(120、125、130)顶部的第一掩模层(205)的第一蚀刻来形成对齐标记。在掺杂第一区(210)后，在形成第一对准人工制品(510b)的所述ONO堆栈的最上氧化物层(130)中的第一蚀刻部点(305)处发生第二蚀刻。在去除所述第一掩模层之后涂敷第二掩模层(405)。在第二掩模层蚀刻部点(510a)处发生第二掺杂(515)，以维持有源区域中的所述两个已掺杂区(210、515)之间的空隙并提供所述两个已掺杂区在框架区域中的重叠(520)。在两个阱的重叠处，进一步的蚀刻去除所述ONO堆栈的剩余层，并从形成第二对齐标记(710)的半导体的最上层中去除硅(605)，所述第二对齐标记(710)可由保护层(720)覆盖。

主权项

1、一种集成电路对准装置，所述装置包括：第一掺杂剂区，其形成于衬底最上表面层的第一部分中；第二掺杂剂区，其形成于所述衬底的所述最上表面层的第二部分中；重叠区，其通过所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区重叠而形成；以及对齐标记，其位于所述重叠区中的所述最上表面层中，所述对齐标记经配置以提供用于任何接续制作步骤的对准特征的参考。