[发明专利]用于对调制电磁波场进行解调的器件和方法有效
申请号: | 200680038672.5 | 申请日: | 2006-10-06 |
公开(公告)号: | CN101310387A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | B·布特根 | 申请(专利权)人: | 美萨影像股份公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 一种半导体技术中的新像素包括:光敏检测区(1),用于将电磁波场转换成流动电荷的电信号;分离解调区(2),具有至少两个输出节点(D10、D20);以及用于在调制周期内以至少两个不同时间间隔对电荷流信号进行采样的装置(IG10、DG10、IG20、DG20)。接触节点(K2)将检测区(1)链接到解调区域(2)。漂移场实现流动电荷的电信号从检测区到接触节点的传递。随后,在两个时间间隔的每一个期间,流动电荷的电信号从接触节点(K2)被传递到分配给相应时间间隔的两个输出节点。解调和检测区的分离提供了能够以高速和高灵敏度对电磁波场进行解调的像素。 | ||
搜索关键词: | 用于 调制 电磁波 进行 解调 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体衬底(SUB1、SUB10)中适于检测和/或解调入射调制电磁波场的像素器件,包括:-检测装置(2),用于将所述入射电磁波场转换成流动电荷的电信号,-采样装置(LG、MG、RG、IG1、DG1、IG2、DG2;GS、DG10、IG10、DG20、IG20),用于在调制周期中以至少两个不同时间间隔对所述流动电荷的电信号进行采样,以及-由所述采样装置采样的电信号的至少两个输出节点(D1、D2;S1、S2),其特征在于,所述像素器件还包括-解调装置(4),包括所述至少两个输出节点和所述采样装置,所述采样装置具有第二传递装置(LG、MG、RG;GS),以及-接触节点(K2),排列在所述检测装置与所述解调装置之间,所述检测装置(2)包括第一传递装置(GM1;GM1.i;FGi;FDi;VGi),所述第一传递装置适于将所述流动电荷的电信号传递到所述接触节点,而所述第二传递装置适于在所述至少两个时间间隔的每一个期间,将所述流动电荷的电信号从所述接触节点传递到分配给相应时间间隔的所述至少两个输出节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的