[发明专利]用于有机装置的包封电极有效

专利信息
申请号: 200680038863.1 申请日: 2006-08-25
公开(公告)号: CN101300690A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 阿伦·L·瓦德尔;薛剑耿 申请(专利权)人: 普林斯顿大学理事会
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郑立;林月俊
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 形成有机光敏性光电子装置,其中装置的电极包封有机光电导性材料。配置被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜。在第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料。在第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积金属,完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度。在得到不小于10nm的厚度之后,以初始速率的至少3倍的增加速率溅射金属,直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露界面的金属的累积厚度为至少250nm。
搜索关键词: 用于 有机 装置 电极
【主权项】:
1.一种形成有机光敏性光电子装置的方法,包含:提供被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜;在所述第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料;在所述第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积第一金属,完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度;和在得到不小于10nm的厚度之后,以初始速率的至少3倍的增加速率溅射第二金属,直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露的部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露的界面的所述第一和第二金属的累积厚度为至少250nm。
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