[发明专利]用于半导体晶片的化学机械抛光设备的装载装置有效
申请号: | 200680038945.6 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101292331A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 罗永民;金昶一;许宁秀 | 申请(专利权)人: | 斗山MECATEC有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;邱玲 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种用于半导体晶片的化学机械抛光(CMP)设备的装载装置。所述装载装置包括:装载杯,具有杯状盆缸;杯板,安装在盆缸中;装载板,支撑在杯板上以能够吸收震动并安置晶片;驱动装置和驱动杆,在抛光装置的平台和轴之间水平旋转并垂直移动装载杯;臂,连接在装载杯和驱动杆之间。在盆缸、杯板和装载杯的装载板的一个或多个相互对应的位置处形成至少一个通孔。在处于对应装载杯的位置的每个通孔中插入并安装至少一个探头组合件,该探头组合件用于光学检测在晶片上的抛光点的抛光厚度。在驱动装置的一侧设置光学厚度检测装置,该光学厚度检测装置能够将光施加到在晶片上的层上以检测反射光谱波长,并以通过从所检测的反射光谱波长之间的光谱干涉信号提取的物理量变化来检测晶片的层厚度。在臂中设置将每个探头组合件和厚度检测装置连接的光纤电缆。因此,在对先放入的晶片执行抛光处理后和在对后续放入的晶片执行抛光处理前,或在对同一先放入的晶片执行后续抛光处理前,可以通过安装在用于单步或多步抛光处理的CMP设备中的至少一个装载装置来测量晶片上的层的厚度,从而更快地传输并反映对后续晶片的抛光有用的信息,提高晶片抛光精度并简化CMP设备的结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 化学 机械抛光 设备 装载 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于半导体晶片的化学机械抛光(CMP)设备的装载装置,所述装载装置包括:装载杯,具有杯状盆缸;杯板,安装在盆缸中;装载板,支撑在杯板上以能够吸收震动并安置晶片;驱动装置和驱动杆,在抛光装置的平台和轴之间水平旋转并垂直移动装载杯;臂,连接在装载杯和驱动杆之间,所述装载装置具有如下特征:在盆缸、杯板和装载杯的装载板的一个或多个相互对应的位置处形成至少一个通孔;在处于装载杯的对应位置处的每个通孔中,插入并安装至少一个探头组合件,该探头组合件用于光学检测在晶片上的抛光点的抛光厚度;在驱动装置的一侧设置光学厚度检测装置,该光学厚度检测装置能够将光施加到晶片上的层上以检测反射光谱波长,并通过从所检测的反射光谱波长之间的光谱干涉信号提取的物理量的变化来检测晶片的层厚度;在臂中设置将每个探头组合件和厚度检测装置连接的光纤电缆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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