[发明专利]由溶液加工制得的纳米晶体太阳能电池无效
| 申请号： | 200680039165.3 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101292366A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | A·P·阿里维沙托斯;I·古尔;D·米利龙 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光电设备，其具有第一电极层、设置在第一电极上的高电阻率透明膜、第二电极层以及设置在第一和第二电极层之间的无机光活性层，其中，所述无机光活性层被设置成至少部分地与高电阻率透明膜电接触，至少部分地与第二电极电接触。所述光活性层具有第一无机材料和与第一无机材料不同的第二无机材料，其中，所述第一和第二无机材料显示出II型带阶能量图，其中，所述光活性层具有第一无机材料的第一纳米结构群和第二无机材料的第二纳米结构群。 | ||
| 搜索关键词： | 溶液 加工 纳米 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种光电设备，其包括：第一电极层；设置在第一电极上的高电阻率透明膜；第二电极层；和设置在第一和第二电极层之间的无机光活性层，其中，所述无机光活性层被设置成至少部分地与高电阻率透明膜电接触且至少部分地与第二电极电接触；其中，所述光活性层包含第一无机材料和与第一无机材料不同的第二无机材料，其中，所述第一和第二无机材料显示出II型带阶能量图，其中，所述光活性层包含第一无机材料的第一纳米结构群和第二无机材料的第二纳米结构群。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
