[发明专利]制造倒T形沟道晶体管的方法无效
| 申请号： | 200680039732.5 | 申请日： | 2006-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101297406A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | L.·马修;R·R·莫拉 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/335;H01L21/338 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于创建倒T形场效应晶体管(10)的方法。该方法包括在衬底(12)上创建水平有源区(14)和垂直有源区(16)。该方法还包括在垂直有源区的第一侧和垂直有源区(16)的第二侧上形成侧壁间隔件(22)。该方法还包括去除水平有源区(14)的未被侧壁间隔件(22)覆盖的部分。该方法还包括去除侧壁间隔件(22)。该方法还包括在水平有源区(14)的至少第一部分和垂直有源区(16)的至少第一部分上形成栅电介质(26)。该方法还包括在栅电介质(26)上形成栅电极(28)。该方法还包括在水平有源区的至少第二部分和垂直有源区(16)的至少第二部分上形成源区(30)和漏区(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 沟道 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于创建倒T形场效应晶体管的方法，包括：在衬底上创建水平有源区和垂直有源区；在所述垂直有源区的第一侧和所述垂直有源区的第二侧上形成侧壁间隔件；去除所述水平有源区的未被所述侧壁间隔件覆盖的部分；去除所述侧壁间隔件；在所述水平有源区的至少第一部分和所述垂直有源区的至少第一部分上形成栅电介质；在所述栅电介质上形成栅电极；以及在所述水平有源区的至少第二部分和所述垂直有源区的至少第二部分上形成源区和漏区。
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