[发明专利]具有改进的读写容限的电流驱动切换磁性存储单元及采用该单元的磁性存储器无效
| 申请号： | 200680040118.0 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101297371A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈友君 | 申请（专利权）人： | 弘世科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 洪磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于提供磁性存储器的方法和系统。磁性存储器包括多个磁性存储单元和至少一条位线以及与多个磁性存储单元相对应的多条源线。各磁性存储单元包括磁性元件，其被编程为：由被驱动在第一方向通过磁性元件的第一写电流形成高阻态，由被驱动在第二方向通过磁性元件的第二写电流形成低阻态。位线和源线设置成驱动第一写电流在第一方向通过磁性元件，驱动第二写电流在第二方向通过磁性元件，并驱动至少一个读电流在不会破坏低阻态稳定的第三方向通过磁性元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 读写 容限 电流 驱动 切换 磁性 存储 单元 采用 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器，包括：多个磁性存储单元，所述多个磁性存储单元各包括磁性元件，所述磁性元件被编程为：由被驱动在第一方向通过所述磁性元件的第一写电流形成高阻态，由被驱动在第二方向通过所述磁性元件的第二写电流形成低阻态；与所述多个磁性存储单元相对应的至少一条位线；以及与所述多个磁性存储单元相对应的多条源线；其中所述至少一条位线和所述多条源线设置成：驱动所述第一写电流在所述第一方向通过所述磁性元件，驱动所述第二写电流在所述第二方向通过所述磁性元件，并驱动至少一个读电流在不会破坏低阻态稳定的第三方向通过所述磁性元件。
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