[发明专利]用于自刷新存储器单元的动态随机存取存储器设备及方法有效
| 申请号： | 200680040549.7 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101300641A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴学俊 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在自刷新模式和常规模式下运行的具有存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)。在自刷新模式的运行中，模式探测器提供自刷新模式信号。其包括用于产生与自刷新模式信号无关的振荡信号的自激振荡器。响应振荡信号，自请求控制器在自刷新模式中提供自刷新请求信号。自刷新信号和自刷新模式信号异步，并且被提供到地址电路，用来选择字线以刷新其中的存储器单元。自刷新请求控制器包括逻辑电路，用于在振荡信号和自刷新模式信号的启动激活边沿之间仲裁时序，并且在自刷新模式进入和退出时，提供自刷新请求和停止该请求，而无视自刷新模式信号和振荡信号的冲突。该DRAM设备在可变的DRAM单元保持时间内运行并获得可靠的自刷新。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刷新 存储器 单元 动态 随机存取存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种选择性地运行在自刷新模式和非自刷新模式的动态随机存取存储器(DRAM)设备，所述DRAM设备包括：探测电路，用于响应刷新模式选择而提供自刷新模式信号；振荡电路，用于响应DRAM功率指示信号而产生振荡信号；自刷新请求电路，用于响应所述自刷新模式信号和所述振荡信号而提供自刷新请求信号；和刷新地址电路，用于响应所述自刷新请求信号而提供要刷新的DRAM单元的刷新地址。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莫塞德技术公司，未经莫塞德技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680040549.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
