[发明专利]用于电荷载流子迁移率改进的旋转剪切应力有效
| 申请号： | 200680041077.7 | 申请日： | 2006-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101300673A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | D·齐达姆巴劳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 采用具有被隔离沟槽环绕的有源区(11)台面结构的半导体衬底的半导体结构及其制造方法。具有第一应力的第一隔离区(12)位于隔离沟槽中。具有不同于第一应力的第二应力的第二隔离区(16a，16b)也位于隔离沟槽中。第一隔离区和第二隔离区的大小和位置使得能够向有源区台面结构施加旋转剪切应力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电荷 载流子 迁移率 改进 旋转 剪切 应力 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有被隔离沟槽环绕的有源区台面结构；具有第一应力的至少一个第一隔离区，位于所述隔离沟槽中；以及具有不同于所述第一应力的第二应力的至少一个第二隔离区，也位于所述隔离沟槽中，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区的大小和位置使得能够向所述有源区台面结构施加旋转剪切应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
