[发明专利]线性和旋转MR阵列位置变换器微调补偿和皮重补偿的热系数有效
申请号: | 200680041115.9 | 申请日: | 2006-09-05 |
公开(公告)号: | CN101300461A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | A·M·徳米特里夫;C·B·约翰逊;L·F·里克斯;M·J·拉托里亚 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01D3/036 | 分类号: | G01D3/036 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;魏军 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种方法和系统,其中通过预测磁阻阵列内特定磁阻感测器或组件的中心线到中心线距离之间的以及此类阵列与感测的磁体之间的、由热膨胀引起的温度上的物理变化,从而减小磁阻位置变换器中热膨胀引起的误差。 | ||
搜索关键词: | 线性 旋转 mr 阵列 位置 变换器 微调 补偿 皮重 系数 | ||
【主权项】:
1.一种用于磁线性和旋转感测应用的热补偿的方法,所述方法包括:自动放大和校准由多个磁阻感测组件经集成电路生成的信号,以便提供完整数字校准和比率输出电压或表示线性和旋转位置数据的数字输出信号;以及预测所述多个磁阻感测组件中与相邻磁阻感测组件相关联的中心线到中心线距离之间的及所述多个磁阻感测组件与至少一个磁体之间的、由其热膨胀引起的特定温度上的至少一个物理变化,以便补偿所述热膨胀并减小其温度相关联的误差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680041115.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。