[发明专利]光掩模及用来在光掩模上形成非正交特征的方法无效
| 申请号： | 200680041429.9 | 申请日： | 2006-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101305319A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | S·S·麦唐纳;D·梅伦欣 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩膜公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F9/00;G03C5/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用来在光掩模上形成非正交特征的光掩模和方法。用来在光掩模坯件上形成非正交特征的方法包括提供包括原始形状的掩模图案文件以及将原始形状分裂成多个可写形状。通过利用光刻系统将可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上，由可写形状形成的非正交特征被形成在光掩模坯件上。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 用来 光掩模上 形成 正交 特征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用来在光掩模坯件上形成非正交特征的方法，包括：提供包括原始形状的掩模图案文件；将原始形状分裂成多个可写形状；以及通过利用光刻系统将可写形状从掩模图案文件成像到光掩模坯件的抗蚀剂层上来在光掩模坯件上形成非正交特征，所述可写形状在光掩模坯件上形成非正交特征。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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