[发明专利]在半导体/电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管有效
| 申请号： | 200680041556.9 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101305468A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 饗场利明;佐野政史;加地信幸 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电介质 界面 具有 晶体 区域 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：有源层，和栅绝缘膜，其中，所述有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，所述晶体区域在所述非晶氧化物层和所述栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680041556.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
