[发明专利]半导体结构、尤其具有均一高度加热体的相变存储器件无效
| 申请号： | 200680041731.4 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101305466A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | I·卡波夫;Y·金;M·金;S·P·蒂加普拉姆;J·李 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈景峻 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 一种由多个具有在自身的加热体(26)上方延伸的硫属化物存储区(28)的相变存储器件形成的相变存储器。该加热体(26)全部具有较均一的高度。该高度均一是通过在绝缘体中的孔内部形成加热体实现的，该绝缘体包括蚀刻停止层(18)和牺牲层(24)。该牺牲层是通过例如化学机械平面化的蚀刻工艺除去的。由于蚀刻停止层可用可重复的方式形成，并且对晶片上的所有器件是共同的，所以在加热体高度上实现了相当大的均一性。加热体高度均一会导致编程存储特性中更好的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 尤其 具有 均一 高度 加热 相变 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变存储器件的方法，包括步骤：形成包括蚀刻停止层(18)的绝缘体(14、16、18、24)；在所述的绝缘体中形成孔；在所述的孔中沉积加热体(26)；和平面化所述的加热体到所述的蚀刻停止层(18)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
