[发明专利]氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法有效
| 申请号： | 200680042016.2 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101305450A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 西山雅也;深泽正人;阿久津利明;榎本和宏;芦泽寅之助;大槻裕人 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α－取代衍生物所组成的组中的任一种N－单取代衍生物或N，N－二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 研磨剂 添加 以及 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅用研磨剂，其为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的氧化硅用研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成工业株式会社，未经日立化成工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680042016.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
