[发明专利]多量子阱器件有效
| 申请号： | 200680042099.5 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101305467A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 片山泰尚;D·纽恩斯;崔章琪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件结构包含两个或更多个导电层(32，34)、两个外围绝缘层(30)、一个或多个中间绝缘层(36)以及两个或更多个导电接触件。所述两个或更多个导电层被夹在所述两个外围绝缘层之间，且它们通过所述中间绝缘层而彼此间隔开以形成两个或更多个量子阱。所述导电接触件中的每一个都与所述导电层中的一个直接且选择性连接，使得单独的量子阱可以通过所述导电接触件而被选择性访问。这种器件结构优选地包含耦合量子阱器件，该耦合量子阱器件具有两个或更多个量子阱，该量子阱可以在简并能级通过阱间隧道效应而耦合在一起。更优选地，该器件结构包含存储单元，该存储单元具有三个量子阱，该三个量子阱被设置和构造成限定两种不同的存储状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件结构，包括：两个或更多个导电层；两个外围绝缘层；一个或多个中间绝缘层；以及两个或更多个导电接触件，其中所述两个或更多个导电层被夹在所述两个外围绝缘层之间且通过所述一个或多个中间绝缘层而彼此间隔开，形成两个或更多个用于自由电子的量子力学约束的量子阱，并且所述两个或更多个导电接触件中的每一个都与所述导电层中的一个直接且选择性连接。
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