[发明专利]单层膜及由其构成的亲水性材料有效

专利信息
申请号: 200680042823.4 申请日: 2006-11-27
公开(公告)号: CN101309760A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 冈崎光树;关亮一;加藤高藏;高木正利 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: B05D5/00 分类号: B05D5/00;B05D7/24;B32B27/30;C08F20/26;C08F20/38;C08F30/02;C09D133/04;C09D143/02;C09K3/00;C09K3/16;C09K3/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种单层膜,所述单层膜具有选自磺酸基、羧基及磷酸基中的至少1种阴离子性亲水基团,该单层膜的表面中的阴离子浓度(Sa)和深部中的阴离子浓度(Da)的阴离子浓度比(Sa/Da)在1.1以上。此单层膜是聚合下述组合物得到的水接触角在30°以下的共聚物,所述组合物含有通式(1)表示的化合物(I)和1分子内具有2个以上(甲基)丙烯酰基的化合物(II),其中,化合物(I)和化合物(II)换算成摩尔比在15∶1~1∶30的范围内。上述单层膜具有高亲水性和表面硬度,防雾性、防污性及防带电性优异,作为防雾材料、防污材料及防带电材料、层合体有用。[X]s[M1]l[M2]m (1)
搜索关键词: 单层 构成 亲水性 材料
【主权项】:
1、一种单层膜,所述单层膜具有选自磺酸基、羧基及磷酸基中的至少1种阴离子性亲水基团,其特征在于,表面中的阴离子浓度(Sa)和深部中的阴离子浓度(Da)的阴离子浓度比(Sa/Da)为1.1以上。
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