[发明专利]用于高级焊料凸点形成的方法和由所述方法制造的系统有效
| 申请号： | 200680043052.0 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101310374A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | M·庞;C·J·巴尔;R·塔尼克拉;C·古鲁默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据一些实施例，提供了一种方法、设备和系统。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底的表面上提供阻焊材料；在阻焊材料的顶部上施加掩模材料；对位于穿过阻焊材料和掩模材料二者形成的开口中的焊料进行回流；以及在对所述焊料进行回流之后去除所述掩模材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高级 焊料 形成 方法 制造 系统 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在衬底的表面上提供阻焊材料，所述阻焊材料具有基本上为平面的上表面；在所述阻焊材料的所述上表面上施加焊料防护掩模(SRM)材料；对位于穿过所述阻焊材料和所述SRM材料二者形成的开口中的焊料进行回流，以制作焊料凸点；以及在对所述焊料进行回流之后去除所述掩模材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
