[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200680043768.0 | 申请日： | 2006-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101313411A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 青木诚志;米泽谕 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种太阳能电池，其具有较高的光电转换效率且无老化的可靠性较高。形成有由在基板(1)(基底)上形成的下部电极层(2)(Mo电极层)、包含铜、铟、镓、硒的光吸收层(3)(CIGS光吸收层)、在光吸收层(3)上由InS、ZnS、CdS等形成的高电阻的隔离层薄膜(4)、以及由ZnOAl等形成的上部电极层(5)(TCO)构成一个单位的电池单元(10)(单位电池单元)，并且为了串联连接多个电池单元(10)而形成连接上部电极层(5)和下部电极层(2)的接触电极部(6)。该接触电极部(6)如后所述那样其Cu/In的比例大于光吸收层(3)的Cu/In的比例，换而言之，In构成得较少，相对于作为p型半导体的光吸收层(3)表现p+(正)型或导体的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基板；分割在上述基板上形成的导电层而形成的多个下部电极；形成在上述多个下部电极上且被分割为多个的黄铜矿型光吸收层；形成在上述光吸收层上的作为透明导电层的多个上部电极；以及为了串联连接由上述下部电极、上述光吸收层和上述上部电极构成的单位电池单元而对上述光吸收层的一部分进行重整以使其导电性高于光吸收层而形成的接触电极部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
