[发明专利]半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法有效
| 申请号： | 200680044083.8 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101317257A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 木岛公一朗 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;G02B6/122;G02B6/13;H01L21/02;H01L27/08;H01L27/12;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当在夹在两个绝缘体层之间的半导体层中形成厚部(例如光波导)时，可以很容易地设计在半导体层表面侧上形成的电子器件。双结构SOI衬底(10)从表面侧开始依次包括硅层(15)、绝缘膜(氧化硅膜)(14)、硅层(13)和绝缘膜(12)。形成的上层绝缘膜(14)具有均匀的深度分布，而形成的下层绝缘膜(12)具有不均匀的深度分布，因而沿预定路线在硅层(13)中形成厚部。Si的折射指数为3.5，SiO2的折射指数为1.5，硅层(13)的厚部提供了核芯，并且对应于该厚部的绝缘膜(12)和(14)提供了包层，从而沿预定路线形成了光波导(16)。由于硅层(15)在表面侧具有均匀的厚度，因此容易使在硅层(13)的各个部分上制造的MOS器件的特性实现平衡，而且便于对电子器件进行整体设计。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底从表面侧开始依次包括第一半导体层、第一绝缘体层、第二半导体层和第二绝缘体层，其中：所述第一绝缘体层具有均匀的深度分布；所述第二半导体层在预定位置具有厚部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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