[发明专利]电容器芯片及其制造方法有效
申请号: | 200680044275.9 | 申请日: | 2006-12-14 |
公开(公告)号: | CN101317241A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 小林贤起;驹泽荣二;歌代智也 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/048;H01G9/00;H01G9/15 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及电容器芯片、固体电解电容器,其中,在用于将电导出到电容器芯片之外的金属制引线框上层叠1个以上的电容器元件、并用树脂进行封装的电容器芯片内,使叠层体的配置为一定范围内的配置。根据本发明,叠层型固体电解电容器不会产生外观不良,并可扩大层叠的电容器元件的厚度总量的许可范围、提高静电电容。 | ||
搜索关键词: | 电容器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容器芯片,是在引线框的一面或两面上层叠电容器元件,并将所得到的叠层体进行树脂封装而形成,在将芯片内的上述叠层体的厚度设为Hs、将电容器芯片的厚度设为Hc、将从叠层体上部到封装树脂上表面的距离的最小距离设为Dt、将从叠层体下部到封装树脂下表面的距离的最小距离设为Db时,Hc-Hs为0.1mm以上,并且Dt与Db之比Dt/Db为0.1~9,Dt和Db均为0.02mm以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680044275.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。