[发明专利]电容器芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680044275.9 申请日: 2006-12-14
公开(公告)号: CN101317241A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 小林贤起;驹泽荣二;歌代智也 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/048;H01G9/00;H01G9/15
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电容器芯片、固体电解电容器,其中,在用于将电导出到电容器芯片之外的金属制引线框上层叠1个以上的电容器元件、并用树脂进行封装的电容器芯片内,使叠层体的配置为一定范围内的配置。根据本发明,叠层型固体电解电容器不会产生外观不良,并可扩大层叠的电容器元件的厚度总量的许可范围、提高静电电容。
搜索关键词: 电容器 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电容器芯片,是在引线框的一面或两面上层叠电容器元件,并将所得到的叠层体进行树脂封装而形成,在将芯片内的上述叠层体的厚度设为Hs、将电容器芯片的厚度设为Hc、将从叠层体上部到封装树脂上表面的距离的最小距离设为Dt、将从叠层体下部到封装树脂下表面的距离的最小距离设为Db时,Hc-Hs为0.1mm以上,并且Dt与Db之比Dt/Db为0.1~9,Dt和Db均为0.02mm以上。
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