[发明专利]包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器有效
| 申请号： | 200680044494.7 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101317105A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 布瑞得·唐纳;卡若琳·佛沙提;奥立维亚·贾格利安诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（胡希）公司;法国保罗塞尚埃克斯马赛第三大学 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体成像器，包含感光点阵列和微透镜阵列，其中微透镜阵列包含第一类微透镜(L1)和第二类微透镜(L2)，第一类微透镜(L1)用具有第一半径(R1)的第一圆形模板制成，第二类微透镜(L2)用具有第二半径(R2)的第二圆形模板(G2)制成，其中第二半径小于第一半径，第一模板(G1)和第二模板(G2)具有交迭区域。优点：制造高填充率的互补型金属氧化物半导体成像器。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 填充 透镜 阵列 互补 金属 氧化物 半导体 成像 | ||
【主权项】：
1.互补型金属氧化物半导体成像器，包含感光点阵列和微透镜阵列，其特征在于：微透镜阵列包含第一类微透镜(L1)和第二类微透镜(L2)，第一类微透镜(L1)用具有第一半径(R1)的第一圆形模板(G1)制成，第二类微透镜(L2)用具有第二半径(R2)的第二圆形模板(G2)制成，其中第二半径小于第一半径，并且第一模板(G1)和第二模板(G2)具有交迭区域。
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