[发明专利]Cu膜的形成方法有效
| 申请号： | 200680044745.1 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101317251A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吉滨知之;原田雅通;丰田聪;牛川治宪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L23/52;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种Cu膜的形成方法，在基板上用溅射法形成Ti或Ta扩散阻挡金属膜，而后在该扩散阻挡金属膜上以溅射法形成氮化物膜，在该氮化物膜上用CVD法形成Cu膜后，在100～400℃下进行退火处理。通过上述方法形成的Cu膜，可以提高扩散阻挡金属膜与Cu膜间的附着性。 | ||
| 搜索关键词： | cu 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Cu膜的形成方法，其用溅射法在基板上形成作为扩散阻挡金属膜的Ti膜或Ta膜，用CVD法在该扩散阻挡金属膜上形成Cu膜，其特征在于：在该方法中，在用溅射法在前述扩散阻挡金属膜上形成氮化物膜、用CVD法在该氮化物膜上形成Cu膜之后，以100～400℃进行退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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