[发明专利]用于含金属层的增强成核的半导体表面的等离子体处理有效
| 申请号： | 200680045057.7 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101427354A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 迪纳·H·特里约索;奥卢邦米·O·阿德图图 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于形成介质层的方法。该方法可以包括：提供半导体表面，以及蚀刻半导体基板(10)的薄层以暴露半导体表面的表面(16)，其中，暴露的表面(16)是憎水的。该方法还可以包括利用等离子体处理半导体基板(10)的暴露表面来中和与暴露表面相关联的憎水性，其中，以100瓦到500瓦的范围内的功率以及1到60秒的范围内的持续时间使用等离子体来处理暴露表面。该方法还可以包括使用原子层淀积工艺在等离子体处理后的表面的顶表面上形成含金属层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 增强 成核 半导体 表面 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成介质层的方法，包括：提供半导体基板；蚀刻所述半导体基板的薄层以暴露所述半导体基板的表面，其中，所述暴露表面是憎水的；利用等离子体处理所述半导体基板的所述暴露表面以中和与所述暴露表面相关联的憎水性；以及使用原子层淀积工艺，在所述等离子体处理后的表面的顶表面上形成含金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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