[发明专利]氮化镓半导体发光元件有效
| 申请号： | 200680045152.7 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101322292A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 中原健 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓半导体发光元件，其可降低AlGaN半导体层与GaN系半导体层的界面上产生的自发极化及压电极化所引起的载体耗尽化，并能使驱动电压稳定。在蓝宝石基板(1)的(R)面上形成有包含发光区域的氮化镓半导体晶体(2)。另外，其它构成中，在GaN基板(3、4)的(A)面或(M)面上形成氮化镓半导体晶体(2)。这些氮化镓半导体晶体(2)的成长表面不是N(氮)极性面及Ga极性面，而为无极性面，因此，可减小在p侧GaN/AlGaN的界面产生的自发极化及压电极化引起的电场的大小，从而可避免载体耗尽化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓半导体发光元件，其在基板上至少依次具备n型半导体层、发光区域、p型半导体层，且该氮化镓半导体发光元件具有AlGaN半导体层与GaN半导体层的界面，该AlGaN半导体层形成在所述p型半导体层侧并且含有1019cm-3以下的Mg，该GaN半导体层位于该AlGaN半导体层的n侧，其特征在于，从所述n型半导体层到AlGaN半导体层，成长表面在既不是GaN的氮极性也不是Ga极性的无极性方向形成。
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