[发明专利]用于在有图案基底上取向生长纳米线的方法有效
| 申请号： | 200680045385.7 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101331590A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 弗吉尼亚·罗宾斯 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B05D3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于纳米线生长和获取的系统和方法。在一个实施方案中，提供用于纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合以及使用有图案基底以生长取向纳米线，从而进行外延取向纳米线生长的方法。在本发明的其它方面，提供通过使用牺牲生长层而提高纳米线质量的方法。在本发明的另外方面，提供将纳米线从一个基底转移到另一个基底上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 基底 取向 生长 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备纳米线的方法，所述方法包括：(a)将催化剂排斥材料施用在基底材料上，以至少部分地覆盖所述基底材料；(b)将一种以上的成核粒子施用在所述基底材料上；(c)将所述成核粒子加热到大于约400℃的温度；和(d)将所述成核粒子与前体气体混合物在大于约0.5托的压力下接触，以产生合金液滴，由此在所述合金液滴的位置上生长纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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