[发明专利]半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200680045475.6 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101322255A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 酒井光彦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以提高光取出效率的半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件(1)包括支撑基板(2)、和包括发光的MQW活性层(12)以及最上层的n－GaN层(14)的半导体层叠结构(6)，在半导体层叠结构(6)的n－GaN层(14)的上表面形成有多个圆锥形的凸部(14a)。若设从MQW活性层射出的光的波长为λ，n－GaN层(14)的折射率为n，则凸部(14a)按照凸部(14)的底部的宽度(W)的平均值WA满足式WA≥λ/n的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：基板；和半导体层叠结构，其包括发光的活性层，设于所述基板上；在所述半导体层叠结构的最上层的将光放出的半导体层的上表面，形成有1个或多个凸部；在设从所述活性层发出的光的波长为λ，所述最上层的半导体层的折射率为n的情况下，所述凸部按照所述多个凸部的底面的宽度的平均值WA为WA≥λ/n的方式形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680045475.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：选择性保护开关
- 下一篇：一种粉液混料均质系统
