[发明专利]用于集成电路的多层电感元件无效
申请号: | 200680045605.6 | 申请日: | 2006-10-04 |
公开(公告)号: | CN101322201A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 阿尔玛·S·安德森 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/04 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 根据本发明的一个示例实施例,一种电感元件被用于功率转换应用。该电感元件包括衬底(188),该衬底具有在其上的第一金属层(190),该金属层具有大于1微米的厚度并被布置作为第一组相邻非交叉导电部分。在第一金属层上布置着具有铁磁内芯区域的铁磁体(192)。在铁磁体上存在至少一个其他金属层(198),其被布置为第二组相邻非交叉导电部分。多个导电通孔(194)位于铁磁体内,被用于将第一组相邻非交叉导电部分的各个部分连接到第二组相邻非交叉导电部分的各个部分,其中提供了围绕内芯区域的邻接的导电绕线。其他示例实施例包括厚度超过了在通常的半导体工艺中使用的厚度的层。 | ||
搜索关键词: | 用于 集成电路 多层 电感 元件 | ||
【主权项】:
1.一种电感元件,其包括:衬底(188);第一层(190),其位于所述衬底上,该第一层具有大于1微米的厚度,并被布置为第一组相邻非交叉导电部分;铁磁体(192),其位于所述第一层上,该铁磁体具有铁磁内芯区域;至少一个其他层(198),其位于所述铁磁体上,并被布置为第二组相邻非交叉导电部分;多个导电通孔(194),其位于铁磁体内,布置所述多个导电通孔用于将所述第一组相邻非交叉导电部分的各个部分连接至所述第二组相邻非交叉导电部分的各个部分,其中,提供了围绕所述内芯区域的用于功率转换的邻接导电绕线。
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