[发明专利]新型集成电路支撑结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200680046501.7 | 申请日： | 2006-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101496227A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | D·胡尔维茨;M·法卡施;E·埃格纳;A·蔡德勒;B·麦考利;B·斯坦特尼科夫 | 申请（专利权）人： | Amitec多层互连技术有限公司 |
| 主分类号： | H01R12/04 | 分类号： | H01R12/04 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵 军;张颖玲 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 制作电子基板的方法包括步骤：(A)选择第一基片层；(B)在第一基片层上沉积第一防刻蚀阻挡层；(C)构建交叠传导层和绝缘层的第一半叠层，传导层通过贯穿绝缘层的通孔互连；(D)在第一半叠层之上形成第二基片层；(E)在第二基片层上形成光刻胶保护膜；(F)刻蚀掉第一基片层；(G)去除光刻胶保护膜；(H)去除第一防刻蚀阻挡层；(I)构建交叠传导层和绝缘层的第二半叠层，传导层通过贯穿绝缘层的通孔互连，其中第二半叠层与第一半叠层实质上对称接合；(J)在第二半叠层之上形成绝缘层；(K)去除第二基片层；以及(L)在叠层外表面暴露出通孔末端并在所述通孔末端形成端接。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 集成电路 支撑 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作电子基板的方法，包括制作全叠层的如下步骤：(A)选择第一基片层；(B)在所述第一基片层上沉积第一防刻蚀阻挡层；(C)构建交叠传导层和绝缘层的第一半叠层，传导层通过贯穿绝缘层的通孔互连；(D)在所述第一半叠层之上形成第二基片层；(E)在所述第二基片层上形成光刻胶保护膜；(F)刻蚀掉所述第一基片层；(G)去除光刻胶保护膜；(H)去除所述第一防刻蚀阻挡层；(I)构建交叠传导层和绝缘层的第二半叠层，传导层通过贯穿绝缘层的通孔互连，其中第二半叠层与第一半叠层实质上对称接合；(J)在所述交叠传导层和绝缘层的第二半叠层之上形成绝缘层；以及(K)去除所述第二基片层。
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