[发明专利]有机半导体,其制备和包含它们的半导体设备有效
申请号: | 200680046536.0 | 申请日: | 2006-12-04 |
公开(公告)号: | CN101356662A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | U·贝伦斯;F·比恩瓦尔德;H·J·柯纳 | 申请(专利权)人: | 西巴控股有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘锴;韦欣华 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体设备,其包含式I化合物和式XXI化合物,其中符号具有说明书中定义的含义,本发明还涉及式I和XXI新的化合物,该化合物作为有机半导体在制备电子设备上的用途,进一步的化合物和设备,以及说明书中给出的其它实施方案。 | ||
搜索关键词: | 有机半导体 制备 包含 它们 半导体设备 | ||
【主权项】:
1.一种包含具有杂原子的三或多环芳烃为主链的二(取代乙炔基)化合物的半导体设备,其中构成主链的环分别通过不超过两个共用的环原子相互稠合,邻接环共用原子的数目为共有侧边区域原子数目的两倍,其前提是主链与-该定义是设想为未取代的-乙炔基团属于在有C2v混合物中的C2h、C2h、D2h和/或Cs点对称群,其具有式I其中标记有A的环是具有6个原子的芳环,标记有B的环是单-或多环,优选单-、二-或三环不饱和环或环系或子公式I(i)的稠合二茂铁苯并其中标记在苯并环侧边的虚线键与式I中心环A稠合,各自与环A稠合,标记C的环是单或多环,优选单-、二-或三环不饱和环或环系或上文所示的子公式I(i)的二茂铁苯并,每个环或环系B和C还可含有基团=S、=O或=C(NQ2)2,这里“不饱和”意指具有共轭双链的最大可能数目,其中在至少一个环或环系B和C中至少一个环原子是选自N、NQ、O和S的杂原子,如果第一环或形成环或环系B和C直接与在环或环系B和C中具有六个环原子的环A稠合;其中式I化合物的环或环系B和C各个包含至少一个杂原子,优选带有4至20,更优选总计至多到14个环原子,这里杂原子选自N、NQ、S和O;任选取代环B和C各自选自以下部分,这里虚线键标记环或环系的侧边与该分子的其余部分稠合:或环C选自前述的部分,同时环B是式Q各个环相互独立,为氢和以下X或Z定义的无取代或取代的烃基、无取代或取代的烃基羰基或杂芳基;优选Q选自氢、C6-C14-芳基、C6-C14-芳基-C1-C20-烷基,C1-C20-烷基,特别是苯基-或萘基-C1-C20-烷基,以及C1-C20-烷基;Z*和Z**独立各自选自H、无取代或取代的C1-C20-烷基,如卤代-C1-C20-烷基,取代或取代的C2-C20-炔基,无取代或取代的C6-C14-芳基,特别是苯基或萘基,无取代或取代的具有5至14个环原子的杂芳基,无取代或取代的C6-C14-芳基-C1-C20-烷基,特别是苯基-或萘基-C1-C20-烷基,例如苄基,无取代或取代的杂芳基-C1-C20-烷基,其中杂芳基具有5至14环原子,无取代或取代的二茂铁基,无取代或取代的C1-C20-烷酰基,例如全氟C2-C10-烷酰基,卤素,无取代或取代的C1-C20-烷氧基,C3-C20-链烯氧基,C3-C20-炔氧基,无取代或取代的C1-C20-烷硫基、C3-C20-烯硫基、C3-C20-炔硫基、羧基、无取代或取代的C1-C20-烷氧基-羰基,无取代或取代的苯基-C1-C20-烷氧基-羰基,氨基,N-单或N,N-二-(C1-C20-烷基,C1-C20-烷酰基和/或苯基-苯基-C1-C20-烷基)-氨基,氰基,氨甲酰基,氨甲酰基和氨磺酰,N-单或N,N-二-(C1-C20-烷基,C1-C20-烷酰基和/或苯基-苯基-C1-C20-烷基)-氨甲酰基和氨磺酰;存在于式I中取代基X、Y和Z的两个为取代的乙炔基,其中该取代基选自无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃基,无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃氧基,至多到40个碳原子的烃硫基,无取代或取代的杂芳硫基、氰基、氨甲酰基、取代氨基、卤代-C1-C8-烷基,例如三氟甲基,以及取代甲硅烷基;优选两个Y取代基是取代的乙炔基,其中该取代基选自无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃基,无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃氧基,至多到40个碳原子的烃硫基,无取代或取代的杂芳硫基、氰基、氨甲酰基,其中Hal表示卤原子、取代氨基、卤代-C1-C8-烷基,例如三氟甲基、卤素和取代甲硅烷基;优选两个Y取代基,各个Y相互独立,更优选相同,选自乙炔基,其中取代基选自C1-C20-烷基、无取代或取代的苯基、无取代或取代的萘基、无取代或取代的蒽基、取代的甲硅烷基,其为两个或优选三个选自C1-C20-烷基、C1-C20-烷氧基和苯基-或萘基-C1-C20-烷基部分取代的甲硅烷基;就目前来言,当其余的取代基X、Y和/或Z是选自无取代或取代的C1-C20-烷基,例如卤代-C1-C20-烷基,无取代或取代的C2-C20-烯基,除了上述取代的乙炔基之外的无取代或取代的C2-C20-炔基,无取代或取代的C6-C14-芳基,无取代或取代的具有5至14个环原子的杂芳基,无取代或取代的C6-C14-芳基-C1-C20-烷基,无取代或取代的杂芳基-C1-C20-烷基,其中杂芳基具有5至14个环原子,无取代或取代的二茂铁基,无取代或取代的C1-C20-烷酰基,卤素,无取代或取代的C1-C20-烷氧基,C3-C20-链烯氧基,C3-C20-炔氧基,无取代或取代的C1-C20-烷硫基、C3-C20-烯硫基、C3-C20-炔硫基、羧基、无取代或取代的C1-C20-烷氧基-羰基,无取代或取代的苯基-C1-C20-烷氧基-羰基,氨基,N-单-(C1-C20-烷基)-氨基,N,N-二-(C1-C20-烷基)-氨基,C1-C20-烷酰基氨基,苯基-(C1-C20-烷基)-氨基,氰基,氨甲酰基,N-单-(C1-C20-烷基)-氨甲酰基,N,N-二-(C1-C20-烷基)-氨甲酰基,C1-C20-烷酰基-氨甲酰基,苯基-(C1-C20-烷基)-氨磺酰;以及n和p各自为0至4,m为0至2,其前提是m、n和p的总和最小为2;或二(取代乙炔基)化合物选自式V或VI的化合物或为式I*或I**的化合物,其中R′各个独立选自C1-C20-烷基、苯甲基、C1-C12全氟烷基、C1-C12全氟烷酰基、氟代苯基,以及SiR3,这里R独立为C1-C6烷氧基;R*为氢或R′;和X和Z为上述定义的取代乙炔基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西巴控股有限公司,未经西巴控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680046536.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种缓震透气鞋
- 下一篇:信息处理设备、信息处理方法和计算机程序
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择