[发明专利]氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680046658.X | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101326649A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 篠原裕直;大泽弘 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓类化合物半导体发光元件，其中，在基板上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层、发光层、p型半导体层的顺序将它们层叠，在该p型半导体层上层叠有透光性正极，并在该透光性正极上设置有正极接合垫，在前述n型半导体层上设置有负极接合垫；其特征在于：在前述透光性正极表面的至少一部分形成有无序的凹凸面。
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