[发明专利]发光装置有效
申请号: | 200680047280.5 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN101331621A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 冈朵拉·罗夫;瓦特·涂斯;李贞勋 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;李友佳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种发光装置,该发光装置包括:至少一个发光二极管,发射处于预定波长区的光;铜-碱土金属类无机混晶,由稀土激活,铜-碱土金属类无机混晶包括铜-碱土硅酸盐磷光体,铜-碱土硅酸盐磷光体设置在发光二极管周围,吸收从发光二极管发射的光的一部分,且发射波长与所吸收的光的波长不同的光。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
1、一种发光装置,包括:至少一个发光二极管,能够产生处于预定波长区的光;磷光体,包括化合物,所述化合物包含铜和作为主晶格成分的碱土金属,所述化合物被稀土激活,所述磷光体位于发光二极管周围,以吸收从发光二极管发射的光的一部分,并发射波长与所吸收的光的波长不同的光。
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